Descrição
– Tipo de transístor: N/P-MOSFET
– Polarização: unipolar
– Tensão dreno-fonte: -30/30V
– Corrente de dreno: -6/6.5A
– Potência: 1.3/1.3W
– Encapsulamento: SO8
– Tensão porta-fonte: ±20/±20V
– Resistência no estado de condução: 20/22mOhm
– Montagem: SMD
– Carga da porta: 7.5/9.6nC




